NTTS2P03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1000
100
D = 0.5
0.2
0.1
10
1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.1
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料
NTUD3127CT5G MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
NTUD3128NT5G MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
NTUD3129PT5G MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963
NTUD3169CZT5G MOSFET N/P-CH 20V SOT-963
NTUD3170NZT5G MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963
NTUD3171PZT5G MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963
NTY100N10G MOSFET N-CH 100V 123A TO-264
NTZD3152PT5G MOSFET P-CHAN DUAL 20V SOT-563
相关代理商/技术参数
NTTS2P03R2/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts
NTTS2P03R2_05 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -2.48 Amps, -30 Volts
NTTS2P03R2G 功能描述:MOSFET -30V -2.48A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTUD01N02/D 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 100 mAmps, 20 Volts
NTUD3127C 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / −180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package
NTUD3127CT5G 功能描述:MOSFET ZEN REG 0.5W 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTUD3128N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package
NTUD3128NT5G 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube